以下内容源于网络资源的学习与整理，如有侵权请告知删除。

参考博客：

Flash、RAM、ROM的区别_天籁东东的博客-CSDN博客_flash和rom的区别

RAM、ROM和FLASH三大类常见存储器简介 - 存储技术 - 电子发烧友网

RAM、NANDFlash、NORFlash的区别详解 - 百度文库

RAM

RAM英文名random access memory，随机存储器。之所以叫随机存储器，是因为当对RAM进行数据读取或写入的时候，花费的时间和这段信息所在的位置或写入的位置无关。

特点：速度最快，掉电丢失数据，容量小，价格贵。

RAM分为两大类：SRAM和DRAM。

具体包括SRAM、DRAM、SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM和DDR3 SDRAM。

SRAM是静态（S指的static）RAM，静态指的不需要刷新电路，数据不会丢失，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了。

DRAM是动态RAM，动态指的每隔一段时间就要刷新一次数据，才能保存数据，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快。

SDRAM是同步（S指的是synchronous）DRAM，同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准。

DDR、DDR2、DDR3都属于SDRAM，DDR是Double DateRate的意思，三种指的是同一系列的三代，速度更快，容量更大，功耗更小，现在出了DDR4，也是同一系列。

ROM

ROM英文名Read-Only Memory，只读存储器，里面数据在正常应用的时候只能读不能写，存储速度不如RAM。（但按照EEPROM的描述，还是可以修改的。因此这句话应该改为“不能随意写”。）

特点：掉电不丢失数据，容量大，价格便宜。

ROM分类三类：PROM、EPROM和EEPROM。

PROM：（P指的programmable）可编程ROM，根据用户需求，来写入内容，但是只能写一次，就不能再改变了。

EPROM：PROM的升级版，可以多次编程更改，只能使用紫外线擦除。

EEPROM：升级版，可以多次编程更改，使用电擦除。

FLASH

FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（这是EEPROM的优点）的性能，还不会断电丢失数据（这是EEPROM的优点），同时可以快速读取数据（这是RAM的优点）。

特点：掉电不丢失数据，容量大，价格便宜。

FLASH存储器分为NAND FLASH和NOR FLASH。

NOR FLASH读取速度比NAND FLASH快，价格比NAND FLASH高。应用程序可以直接在NOR FLSAH内运行，不必再把代码读到系统RAM中。

NAND FLASH读取速度比NOR FLASH慢，价格比NOR FLASH低，存储颗粒密度比NOR FLASH大，可以作为大数据的存储，但应用程序不能直接在NAND FLASH内运行。

FLASH存储器属于块设备。具有块（Block）、页（扇区）这两种概念。

网络资源总结

​

​

​

​

我的理解。

1、在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用。

2、FLASH属于广义上的ROM，和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区（或者叫做“页”）进行操作，以块为单位进行擦除，而EEPROM以字节为单位进行操作、进行擦除。这简化了电路，使得数据密度更高，降低了成本。目前上M的ROM一般都是FLASH。

3、NADN FLASH和NOR FLASH的关系与区别如上。至于NAND FLASH和iNand的关系，可以这样理解，iNand、SD卡、MMC卡等等，都是以NAND FLASH为原料，遵循一些协议，添加封装以及接口而制作出来的产品，因此使用起来就带有NAND FLASH的特性，隶属NAND FLASH类别。那有没有利用NOR FLASH制造出来的常用的产品呢？因为容量小，好像日常生活中没有看到，它一般用于开发板作为启动介质，因为代码程序可以直接在NOR FLASH运行。

4、FLASH存储器属于块设备。具有块（Block）、页（扇区）这两种概念。

5、传统的机械硬盘（HHD）是以磁学原理存储数据的设备。现在的固态硬盘（SSD）好像有基于NAND FLASH的，也有基于DRAM的。

6、U盘也是FLASH类型的存储器，应该也是基于NAND FLASH。