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電容式TP的動作原理
PS:電容式TP動作原理是利用人體電流感應來進行的，當人的手指觸摸在TP上，与Panle上的ito電路形成一個耦合電容（電容效應），於是手指從觸控點上吸走了一個微小的電流，經由ITO線路將電流值回傳給搭配IC的運算，就能計算出觸控點所在的位置.
物理電容解读
1.電容器定義：任何兩個彼此絕緣又相隔很相近的導體，組成一個電容器。電容器符號： ， 最簡單的電容器--平行板電容器：在兩個正對的平行電極板間夾上一層電介質（絕緣體)
2.電容：描述電容器容納電荷本領大小的物理量。
3.電容公式：C=Q/U=εs/4πkd (ε:絕緣介質的介電常數，s:正對面積，k：靜電力常量k=9.0×109N·m2/C2 ，π：圓周率， d：極板間的距離，Q：極板上帶的電荷量，U：極板兩端電壓)
4.電容公式意義：平行板電容器的電容C跟介電常數ε成正比，輿正對面積s成正比，跟極板間的距離d成反比.
5.當觸摸TP時，手指與TP就組成了一個平行板電容器：
電容式TP的工作原理
1.當觸摸TP時，手指與TP就組成了一個平行板電容器：
上極板：手指
絕緣體介質:LENS
下極板：ITO
2.此電容器的電容 C =εS／4kπd，因為ε，k，π，d都是固定值，所以實際上此電容可以簡化為C =AS，（這裡A=ε／4kπd，是固定值）
3. C =AS：意味著電容跟觸點面積S成正比。手觸TP，手与ITO间產生了電容。
4. 再看公式 C = Q／U，U是由IC給定，當觸摸TP產生電容，電壓U不變，C增大，則Q增大，因此ITO出現了電荷的增加，電荷的變化產生了電流I （I=△Q/ △t ）
5. 受触的ITO線路將此電流值回傳給搭配IC的運算，IC就計算出哪一條ITO的電流值，就能計算出觸控點所在的位置.
觸摸屏位置中心座標算法
例如：觸點覆蓋ITO線路4,5,6，電容值：P4=10K,P5=15K,P6=6K
那麼算出的觸點座標X=（10K*4+15K*5+6K*6）/(10K+15K+6K)=4.87
G+F 结构
用于单点+手势/虚拟两点/多点
搭配芯片： 单点+手势： MSG2133A FT6206
分区两点： FT6306，FT6336 MSG2138A，MSG2238
单层多点：GT9147/GT9157
G+F 结构Sensor
G+F+F 结构
用于双层多点搭配芯片：GT9157 FT5336 等
G+F+F 结构Sensor
CG 工艺介绍
SENSOR 主要工艺介绍
SENSOR 前段工艺介绍
SENSOR 后段工艺介绍
SENSOR 黄光工艺介绍
FPC工艺介绍一
FPC主要材料
FPC结构介绍
OZ=T=0.0034287厘米=34.287um 1 MIL=25.4um
设计介绍
CG设计介绍
CG倒角外R最小R0.3，内R最小R0.6 MID开孔最小R0.6
丝印最小间距0.15mm
盖板设计外形以及开孔尽量正反对称，若有MID孔尽量偏一边
玻璃选材：康宁: 0.55/0.70/1.00mm
旭硝子:0.55/0.70/0.95/1.10mm
厚度设计介绍
机壳设计注意：
1.保证TP离上表面0.15-0.2mm跌落破裂风险较小
2.单层TP与LCD距离0.3mm以上.
电气/光学性能介绍
| 电气性能项目 | 规格 | 备注 | |
G+F | G+F+F | ||
反应时间 | <35ms | <25ms | 需确认客户平台 |
刷新频率 | 70-120HZ | 80-100HZ | 不同IC存在差异 |
电压/电流 | 参照具体IC型号 | 参照具体IC型号 | |
操作功能 | 单点+手势/多点 | 多点（5点） | |
PIN角定义 | 依项目图纸为准 | 依项目图纸为准 | |
分位确认 | 依最新分位确认表为准 | 依最新分位确认表为准 | |
工作原理 | 参照具体IC型号 | 参照具体IC型号 | |
光学性能项目 | 测试标准 | 数量 | 备注 |
| 透光 | 1.中心点 >85% 2.IR: 550nm: 10±5%; 850nm >70%; 3按键区: 550nm: 40±5%. 4.根据具体项目要求执行. | 3PCS | 550为可见光 850为红外光 |
雾化率 | <3% | 3PCS |
主要测试项目介绍
测试项目 | 测试标准 | 影响因素 | 备注 |
| 落球测试 | 1、50g，70cm 或130g，30cm 中心点跌落三次无破损 | DOL CS | |
| 线性度 | 所有报点需要满足如下规格： 双层ITO结构：+/-2.0mm; 单层ITO结构+/-2.5mm | IC性能 ITO方阻大小及阻抗均匀性 静电干扰. | 直径8mm铜棒分别画横线、竖线、交叉线 |
| 精准度 | 所有报点需要满足如下规格： 双层CTP ITO结构： 中心点：+/-1.5mm; 边缘点：+/-2.0mm 单层CTP ITO结构： 中心点：+/-2.0mm; 边缘点：+/-2.5mm | IC性能 ITO Pitch ITO GAP 静电干扰 |
TP异常处理方向
A.无动作可以从以下方面检测：
a.连接器连接是否OK，是否有短路问题. （整面）
b.FPC走线区是否有折伤/断裂. （整面）
c.组装时ITO层刮伤. （区域）
d.FPC受拉力过大，把TP的压合区拉伤. （整面或区域）
e.IC或其它元器件受挤压，造成原器件松动或脱落. （整面)
f.TP分辨率是否设定OK（区域）
B.线性度/灵敏度：
a.主要取决于ITO PITCH及ITO GAP值, ：
b.降低ITO PITCH及ITO GAP值,增加通道数提升相应性能.
c.抗干扰设计防护可以保证固有线性度、灵敏度.
C.为避免测试功能后非法断电导致IC的Flash数据损坏；
建议在测试完后，先断测试工具的电源后再拔取TP；
TP防ESD注意事项
FPC边缘与机壳的孔或缝隙的距离尽量大于3mm，避免ESD直接对FPC放电；
客户端机壳，尽量选用金属接地外壳，防ESD效果会更好一些；
装配作业中注意作业台面/测试设备/作业人员需进行静电接地.
增加屏蔽膜（ITO-FILM)抗干扰（但结构不理想）.
IC加贴绝缘胶带.
如何进行抗干扰设计？
按键下方的金属框面积不可太大，避免此处的按键寄生电容太大，而造成按键的信号干扰！
LCD上表面到TP下表面距离需保留0.30mm~0.50mm，减少LCD对TP的干扰；
LCD FPC 与 TP FPC不可重叠放置；
4、电源干扰：电源干扰的噪声实际上是一个共模噪声；
解决办法：A、采用共模滤波输出电源；
B、调整TP的扫描频率，及调整TP的敏感度；
5、电磁干扰：是干扰电缆信号并降低信号完好性的电子噪音，EMI通
常由电磁辐射发生源如马达和机器产生的。
解决办法：在FPC上非元件区加贴电磁膜，以屏蔽外界的
电磁干扰；
TP结构介绍-G+G
Dito結構
反應更敏捷，且防雜訊效果好，APPLE此結構。
Sito结构（搭橋、地通）
多采用搭桥制程
OGS 结构
Touch Panel相關材料名詞解釋
ACF：異方性導電膜(Anisotropic Conductive Film)
PMMA:聚甲基丙烯酸甲酯(俗称压克力Poly Methy Mech-Acryl）
FPC：軟性印刷電路板(Flexible Printed Circuit）
PSA:光学感压膠(Pressure-Sensitive Adhesive)
OCA:光学透明胶(Optically Clear Adhesives）
AF ：抗指纹膜(AF-Coating)
AR ：抗反射膜(Anti-Reflection)
ITO：氧化銦錫 ndium-Tin-Oxide
Sito：單面ITO（Single-ito）
Dito：雙面ITO（Double-ito）
FIP/SENSOR：電場感應PAD( Field Induce Pad)
ATT(OGS)：進階觸控技術( Advanced Touch Technology)
