依公知及经验整理,原创保护,禁止转载。
专栏 《深入理解NAND Flash》
- 回首
漠然回首,从事存储芯片行业已多年,这些年宝贵的青春都献给了闪存。
我刚入行的时候,也是萌新一个,彷佛大学学的都没有和这相关的,一切都 Reset 归零了。这不怪大学教育,是整个国情如此,我们缺少半导体的摇篮,所以才会被卡脖子。
专栏初衷?
看过周星驰电影《功夫》应该都熟悉这段台词。
写这个专栏的初衷便是,对于多年的所学进行总结复盘。曾经青丝飘逸,现今发际飘去,以此栏致敬我的青春。也希望它能带少年们入门存储的殿堂,走过我做走过的路,避开我填过的坑。
我吹过你吹过的风
这算不算相拥
我走过你走过的路
这算不算相逢
- 闪存类别
我们先从下图看下闪存芯片分类吧, 从材质到产品五花八门,种类繁多, 怎么从众多门类中提取出共性与差异,对于我们入门闪存事半功倍。
本专栏专注于NAND Flash 的特性和实践。
- 闪存学习路线
NAND 闪存发明,才有了我们现如今用的智能手机的高速大容量内存(eMMC、UFS)的顺滑体验,以及电脑固态硬盘(SSD)的流畅。NAND闪存这项发明已经彻底改变了我们的生活、工作和娱乐方式。
闪存介质分为NOR FALSH 和 NAND FALSH。Intel于1988年开发出NOR Flash 技术,改变了原先由EPROM(电可编程序只读存储器)一统天下的局面。1989年,东芝公司发表了NAND Flash 结构
在每个闪存芯片中都有海量的存储单元。闪存记录数据的关键在于浮栅层,当其中被充满电子时是已编程(写入)状态,代表二进制0;当其中没有电子时是已擦除状态,代表二进制1。通过施加特定的电压, 可以根据导通状态,知晓里面是否有电子。并可以通过储存电荷和释放电荷, 来实现写、读、擦工作原理。
3.2 学习侧重点:
了解
了解闪存历史
了解闪存产品
了解闪存工作原理
闪存失效模式分析
控制器基本知识
掌握
闪存组织架构
不同生产工艺闪存的特点:延迟、寿命、误码、读写方式
指令集, 不止会用到基本读写擦, 还要学会各种并行操作, 如:
顺序页之间 Cache Program/Read
多Plane 并行写、并行读
多CE interleave 并行写、并行读
多通道并行写、并行读
闪存特性以及应用管理机制
因为作者知识有限,如有遗漏或错误, 请大家给我留言,我会查缺补漏,持续完善。
免责声明:
<<<< 返回总目录 <<<<
参考