RAM：Random-Access Memory的缩写，意思为“随机存取存储器”

ROM：Read-Only Memory的缩写，意思为“只读存储器”

总体来看：都是存储器

最大区别：ROM可以在停止供电的时候仍然保存着数据；RAM在停止供电的时候数据丢失

下面细看RAM
RAM分两大类：
        第一类称为静态RAM，StaticRAM简称为SRAM。这是目前读写最快的存储设备，劣势是价格太贵，一般只在要求很高的地方用；

        第二类称为动态RAM，Dynamic RAM简称为DRAM。DRAM保留数据的时间短，速度也比SRAM慢，虽然比不过SRAM，但还是比所有的ROM快。主要优势就是DRAM比SRAM价格便宜，像电脑里面的内存就是DRAM。DRAM也分为很多种，这里主要说最熟悉的DDR。

        DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是“双倍速率同步动态随机存储器”的意思。前身为同步动态随机存取内存，简称SDRAM。SDRAM从发展到现在已经经历了五代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM，第五代，DDR4 SDRAM，到现在的DDR5 SDRAM也就是第六代。平常说台式电脑内存用的是DDR几，说的就是DDR SDRAM，在很多显卡上也配了高速DDR RAM来提高带宽，提高渲染能力。

SRAM工作基本原理：

　　利用寄存器来存储信息，所以一旦掉电资料就会全部丢失，只要供电它的资料就会一直存在，不需要动态刷新，所以叫静态随机存储器

DRAM工作基本原理：

        利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息，一旦掉电信息会全丢失，由于栅极会漏电，所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷，并且每读出一次数据之后也需要补充电荷，这个就叫动态刷新，所以称其为动态随机存储器。由于它只使用一个MOS管来存信息，所以集成度可以很高，容量能够做的很大。

        对DRAM可以简单理解为：“数据存在一个会漏电的东西上，漏电之后数据就丢失了，为了避免数据丢失，需要一个刷新的操作，也就是给这个会漏电的东西补充电，这就是动态刷新的意思”

下面看ROM
ROM分五种
掩膜编程的只读存储器MROM（Mask-programmedROM）

可编程的只读存储器PROM（Programmable ROM）

可擦除可编程的只读存储器EPROM（Erasable Programmable ROM）

可电擦除可编程的只读存储器 EEPROM（Elecrically Erasable Programmable ROM）

快擦除读写存储器（Flash Memory），又叫快闪存储器

这就不用一一介绍了，在学习途中遇到了解便可，下面主要介绍一下第五种Flash

Flash
        flash:全称flash memory,也就是平时说的“闪存”。现在用作存储电脑主板的 BIOS 、程序代码、应用数据的越来越多。绝大部分的 U 盘、SDCard、MMC卡、TF卡 等移动存储设备也都是使用 Flash 作为存储介质

         Flash Memory 主要可以分为NOR Flash 和 NAND Flash 两类。区别：NAND型写入速度和擦除速度快、最大擦除次数多，大容量下NAND型比NOR型成本要低很多，体积也更小；NOR型支持片上执行，可以在上面直接运行代码，软件驱动比 NAND 简单，一般小容量的用NOR 型因为小容量NOR读取速度快。

Flash ROM工作基本原理

　　是利用浮置栅上的电容存储电荷来保存信息，因为浮置栅不会漏电，所以断电后信息仍然可以保存。也由于其机构简单所以集成度可以做的很高，容量可以很大。Flash rom写入前需要用电进行擦除，可以以byte(字节)为单位进行，flash rom只能以sector(扇区)为单位进行。不过其写入时可以byte为单位。

MMC、eMMC
MMC是一种存储器接口协议，能符合这接口的内存器都可称作mmc储存体

eMMC (Embedded Multi Media Card），“嵌入式多媒体卡”、“嵌入式设备的存储器”。手机、平板的存储介质目前基本都是eMMC，功耗和成本都很低。类似硬盘，它将NAND Flash与控制器集成为一体，通过内在的控制器管理Flash，这样CPU可不再为Flash不断更新制程而烦恼兼容性问题。eMMC=NAND Flash+闪存控制芯片+标准接口封装。