STM32 Flash学习（三）

硬件设计

开机的时候先显示一些提示信息，然后在主循环里面检测两个按键。
其中1个按键WK_UP用来执行写入FLASH的操作，另一个按照KEY0用来执行读出操作。

软件设计

添加了两个文件stmflash.c和stmflash.h。

#include "stmflash.h"
#include "delay.h"
#include "usart.h"extern void FLASH_PageErase(uint32_t PageAddress);//读取指定地址的半字（16位）
u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)
{return *(vu16*)faddr;
}//不检查的写入
void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)
{u16 i;for(i=0; i<NumToWrite; i++){HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD,WriteAddr,pBuffer[i]);WriteAddr+=2;//地址增加 2.}
}//从指定地址开始写入指定长度的数据
#if STM32_FLASH_SIZE<256
#define STM_SECTOR_SIZE 1024 //字节
#else
#define STM_SECTOR_SIZE 2048 //字节u16 STMFLASH_BUF[STM_VECTOR_SIZE/2];void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)
{u32 secpos; //扇区地址u16 secoff;//扇区内偏移地址(16位字计算)u16 secremain; //扇内剩余地址(16位字计算)u16 i;u32 offaddr; //去掉0x08000000后的地址if(WriteAddr<STN32_FLASH_BASE||(WriteAdd>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE))) return;HAL_FLASH_Unlock(); //解锁offaddr = WriteAddr - STM32_FLASH_BASE;secpos = offaddr/SIM_SECTOR_SIZE;secoff = (offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;secremain = SIM_SECTOR_SIZE/2 - secoff;if(NumToWrite <= secremain) secremain = NumToWrite;while(1) {	STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容for(i=0;i<secremain;i++)	//校验数据{if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除  	  }if(i<secremain)				//需要擦除{FLASH_PageErase(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);	//擦除这个扇区FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);            	//等待上次操作完成CLEAR_BIT(FLASH->CR, FLASH_CR_PER);							//清除CR寄存器的PER位，此操作应该在FLASH_PageErase()中完成！//但是HAL库里面并没有做，应该是HAL库bug！for(i=0;i<secremain;i++)//复制{STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i];	  }STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区  }else {FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);       	//等待上次操作完成STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间. }if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了else//写入未结束{secpos++;				//扇区地址增1secoff=0;				//偏移位置为0 	 pBuffer+=secremain;  	//指针偏移WriteAddr+=secremain*2;	//写地址偏移(16位数据地址,需要*2)	   NumToWrite-=secremain;	//字节(16位)数递减if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了}	 };	HAL_FLASH_Lock();		//上锁
}
#endif

STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)
参数：

WriteAddr：起始地址（必须为2的倍数）
pBuffer：数据指针，指向要写入的数据缓冲区
NumToWrite：16位数据量（以半字为单位，即两个字节）

功能：
该函数用于将从指定地址开始的指定长度的数据写入闪存。
首先计算出目标地址所在的扇区地址和扇区内偏移地址。
然后，从Flash读出整个扇区的内容，并检查是否需要执行擦除操作。
如果需要擦除扇区，则执行擦除操作，并将数据复制到缓冲区。
最后，使用STMFLASH_Write_NoCheck函数将整个扇区的数据写入Flash。
如果不需要擦除操作，直接使用STMFLASH_Write_NoCheck函数将数据写入到扇区的剩余空间。

该函数对写入地址是有要求的，必须保证以下两点：

该地址必须是用户代码区以外的地址。
该地址必须是2的倍数。

条件1，如果把用户代码擦了，运行的程序就废了，可能出现死机的情况。条件2是STM32 FLASH的要求，每次必须写入16位，如果写入的地址不是2的倍数，那么写入的数据，可能就不正确。

//从指定地址开始读出指定长度的数据
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead)
{u16 i;for(i=0; i<NumToRead; i++){pBuffer[i] = STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr); //读取2个字节ReadAddr += 2;}
}//测试用
void Test_Write(u32 WriteAddr,u16 WriteData)
{STMFLASH_Write(WriteAddr, &WriteData, 1);//写入1个字
}

main.c文件

#include "stmflash.h"//要写入到STM32_FLASH的字符串数组
const u8 TEXT_Buffer[] = {"STM32 FLASH TEST"};
#define SIZE sizeof(TEXT_Buffer)
#define FLASH_SAVE_ADDR 0x08020000 //设置FLASH保存地址必须为偶数int main(void)
{u8 key = 0;u8 datatemp[SIZE];HAL_Init();                    	 	//初始化HAL库    Stm32_Clock_Init(RCC_PLL_MUL9);   	//设置时钟,72Mdelay_init(72);               		//初始化延时函数uart_init(115200);					//初始化串口LED_Init();							//初始化LED	KEY_Init();							//初始化按键while(1){key = KEY_SCAN(0);if(key = KEY1_PRES){STMFLASH_Write(FLASH_SAVE_ADDR,(u16*)TEXT_Buffer,SIZE);}if(key==KEY0_PRES)	//KEY0按下,读取字符串并显示{STMFLASH_Read(FLASH_SAVE_ADDR,(u16*)datatemp,SIZE);}}
}