共源JFET放大器

共源JFET放大器使用结场效应晶体管作为其主要有源器件，提供高输入阻抗特性。

1、概述

普通源JFET放大器与共射极BJT放大器相比有一个重要优点，即FET具有极高的输入阻抗，再加上低噪声输出，使其非常适用于需要非常小的输入电压信号的放大电路。

晶体管放大电路，如共射极放大器，通常使用双极晶体管制作，但小信号放大器也可以使用场效应晶体管制作。基于结型场效应晶体管或“JFET”（本文中为N沟道FET）或甚至金属氧化物硅场效应晶体管或“MOSFET”的放大电路的设计原理与我们在之前教程中讨论的用于Class-A放大电路的双极晶体管电路完全相同。

首先，需要找到适当的静态工作点或“Q点”，以正确偏置单放大器配置的JFET放大电路，包括共源（CS）、共漏（CD）或源跟随器（SF），以及大多数FET器件可用的共栅（CG）。

这三种JFET放大器配置对应于使用双极晶体管的共射极、发射跟随器和共基极配置。在这个关于FET放大器的教程中，我们将重点介绍最常用的共源JFET放大器设计。

考虑下面的共源JFET放大器电路配置。

2、共源JFET放大器

放大器电路由N沟道JFET组成，但该器件也可以是等效的N沟道耗尽型MOSFET，电路图相同，只是FET不同，连接在共源