机械继电器、固态继电器和模拟开关对比分析

1 结构

2 长期可靠性

        与机械继电器相比,光继电器明显提高了可靠性,因为没有活动器件。

        光继电器通过 LED 进行光学控制。通常情况下,此 LED 会随着时间的推移比开关本身更快地降级,具体取决于温度、正向电流、开关速度等。随着 LED性能下降,需要更多电流才能完全开启光继电器。这可能需要更改系统并增大系统尺寸,以补偿这种可靠性。

        模拟开关的可靠性不依赖于控制或开关频率的驱动强度。只要驱动多路复用器的电压高于阈值并且在器件的工作条件内,开关就会始终打开。与 LED 的驱动电流不同,该阈值电压不会随时间变化。

        此外,模拟开关将具有额外的 ESD 保护,以在处理和组装过程中保护器件。通常,光继电器没有这种额外的集成,需要外部元件来实现相同级别的保护。

3  功耗

        另一项关键系统要求是功耗。在机械继电器和光继电器器件上,主要功率分别由线圈和 LED 消耗。电流消耗可能因器件和实施方式而异,但通常需要 100mW/通道来激励机械继电器上的线圈。对于光继电器,LED 通常需要5mW/通道才能完全打开开关。在 4 通道多路复用器(模拟开关)上,每通道电源消耗的功率小于 2.5mW。

4 开关速度和热开关 

        由于光继电器和多路复用器(模拟开关)是没有活动器件的固态器件,因此它们不会像机械继电器那样出现弹跳问题。机械继电器改变状态时会发生弹跳。由于开关是物理的,因此在稳定之前,开关在导通和关断状态之间有一段时间抖动。此外,出于同样的原因,光继电器和多路复用器可以热切换(当开关上有电压时打开/关闭),而不会影响可靠性。

        在机械继电器中,这种热切换会磨损甚至焊接接触器,从而导致严重的可靠性问题。多路复用器的另一个主要优势是其接通/关断时间快得多。机械继电器以 1-10ms 级打开/关闭。光继电器在这方面改进到大约 0.1-1 毫秒。多路复用器的性能甚至提高到了 50-500us 左右。这可以提高运行速度并消除系统中的潜在同步错误。

        另一个重要的性能差异是,光继电器打开/关闭时间取决于 LED 驱动电流。随着 LED 上的正向电流增加,关断时间也会增加。多路复用器没有这种依赖性,无论 GPIO 驱动电压如何,都以恒定速度切换。

5  信号隔离

        源极和漏极之间的关断电容CDS(OFF)可用来衡量关断开关后,源极信号耦合到漏极的能力。它是固态继电器(如PhotoMOS®、OptoMOS®、光继电器或MOSFET继电器)中常见的规格参数,在固态继电器数据手册中通常称为输出电容C OUT 。CMOS开关通常不包含此规格参数。

        任何开关的一个关键性能指标是它在关断时隔离开关上信号的程度。请参阅此处所示的等效电路图图 5-1。理想情况下,开关的关断电阻非常高,而从输入到输出的电容非常低。当信号出现在开关的一侧时,我们可以计算整个频率范围内输出电压与输入电压的比值(以 dB 为单位)。对于光继电器和多路复用器器件,非隔离性能在不同频率范围内具有可比性,但可能因架构而异。

 

 

关断隔离段测试电路

隔离度计算公式

 等效电路如下

推导过程

       

6 电容

        对于瞬态和交流系统,开关电容会影响信号质量。请参考 图 6-1。MOSFET 的主要电容分量有两个:开关两端的电容以及开关接地端的电容。在许多 PhotoRelay 数据表中,开关两端的电容指定为 Coff。该电容将开关的交流隔离定义为高通滤波器。该电容越大,关断时通过开关的交流电压越大。还需要注意的是,该电容在整个频率范围内并不平坦,并且通常会在较高频率时增加。对于多路复用器器件,数据表中通常未定义该参数,而是直接将关断隔离定义为开关关断时的性能。但是,可以使用图 6-1 轻松地转换这些值。

模拟开关导通寄生电容 

模拟开关关断寄生电容  

        另一个关键寄生参数是多路复用器上的接地电容。在数据表中,这被描述为 Coff(当开关关闭时)和 Con(当开关打开时)。该电容将交流性能定义为低通滤波器。该电容越大,在高频下衰减的信号就越多。在光继电器中,没有直接的接地基准。因此,该电容的等效值定义为总电容。通常,系统中的关注点实际上是开关的 RC。这由导通电阻和乘以的电容一起定义。通常,RC 越低,开关在高速下的性能就越好。 

7 导通电阻和平坦度

        许多多路复用器器(模拟开关)件的一个缺点是导通电阻。由于许多多路复用器器件的架构,导通电阻可能随偏置电压的变化而显著变化。这会导致输出失真较大。

8  漏电流

         精密系统中的一项关键性能指标是漏电流。如果在开关关闭时在开关上施加大电压,则不需要的电流会流过MOSFET。现代 MOSFET 设计已显著降低了这种泄漏,但对于某些应用,即使是几皮安也可能影响系统性能。这种泄漏通常定义为 Ioff 或关断漏电流。对于机械继电器,这种泄漏基本上为零,因为除了通过绝缘体之外没有其他路径可供电流通过。在固态解决方案中,漏电流主要来自 MOSFET 的背栅。因为光继电器没有接地基准,所以电流唯一可以通过的路径是开关。在多路复用器中相对于地有一定量的漏电流

        关于漏电流,最后要注意的是温度依赖性。Ioff 随温度呈指数增长。对于光继电器和多路复用器来说,均会出现这种情况。因此,对于精密应用,系统温度需要保持在尽可能低的水平,最好低于 50°C。

        TI模拟开关漏电电流最好的在400pA 

欧姆龙MOS FET继电器漏电常温下基本在pA级 

 

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