半导体基础

半导体是介于导体和绝缘体之间的一种介质，在不同条件下表现出不同的导电性或者不导电特性，

电子半导体器件材料大部分为硅，锗等元素

本征半导体：完全不含杂质的纯净半导体，因为不含杂质，其中载流子仅仅只靠本征激发，导电性能很差。与之相对的是非本征半导体，参杂了不同分为N型半导体和P型半导体，由于两种半导体制作在同一片硅片上，且N型多为自由电子，P型多为空穴，由于扩散作用，中间会形成电场空间，也就是PN结：具有单向导电性，电流只能正极进去，负极出来，正是由于二极管内部独特的PN结。

扩散运动和漂移运动

P型半导体和N型半导体结合之后，P区空穴载流子和N区自由电子在他们交界处就形成了自由电子和空穴的浓度差。

由于P区的空穴浓度比N区高，空穴就往N区扩散，而N区的自由电子浓度比P区高，自由电子往P区扩散，P区和N区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，在这个区域内，多子已扩散到对方并消耗。

由于P区N区的杂质离子，一个带负电荷，一个带正电荷，在空间电荷区形成内电场，扩散运动的进行使空间电荷区变宽，内电场也变强了。

这个内电场一方面阻止了扩散运动的进行，扩散就不容易进行下去；另一方面使空穴（少子）从N区往P区漂移，自由电子从P区往N区漂移，这个漂移可不是汽车漂移，是受N区高电势，P区低电势的内电场影响产生漂移，叫做少子漂移。

慢慢的空间电荷区就稳定了。总结来说多子运动叫做扩散运动，少子运动就是漂移运动，当两种运动达到动态平衡就产生了PN结。在PN结加上相应的电级引线和管壳，就构成了半导体二极管。由P区引出的电极成为了正极，由N区引出的电极成为了负极。

理解：P区多子为空穴（带正电）N区多子为电子（带负电）,由于扩散作用，空穴和电子分别操作N和P区运动，在P,N区交界处本身会形成一个内电场，由于扩散作用影响，内电场强度也变强了。之后P区边缘是电子，N区边缘是空穴，这个时候又会有漂移运动，也就是不同区的少子会受到电场力的作用会朝对方区域边缘移动。叫少子飘逸