ZnO电阻片在低电场区域的泄漏电流及其电阻的负温度系数

在低电场区域,流过ZnO非线性电阻的泄漏电流小于1mA.泄漏电流不仅与施加的电压幅值有关,而且与温度高低有关。图2.6表示温度对泄漏电流的影响,温度越高,电子在电场作用下定向的运动就越激烈,导致泄漏电流增大。因此温度升高将导致电阳值下降,即ZnO 电阻呈现负温度特性。

一般以非线性电阻的直流1mA参考电压的变化来衡量非线性电阻的负温度系数。将Zn0非线性电阻的负温度系数。r定义为在规定的温度T时温度每变化1℃时测得的1mA电压的相对变化率,表示为

     

若取 U,…A为室温时的1mA 参考电压,则ZnO非线性电阻的负温度系数值一般处在-10-3/℃到-10-4/℃的范围内。

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